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LWT1H6AQ
IC

SOT-89

可供量大可议

LWT1H6AQ

采用SGT技术的N沟道功率MOSFET, 具有低栅极电荷和导通电阻, 适用于多种应用

品牌

Lewa Micro

封装

SOT-89

库存

910

货期

现货

LWT1H6AQ参数

封装SOT-89
品牌Lewa Micro(乐瓦微电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存910

LWT1H6AQ概述

采用SGT技术的N沟道功率MOSFET, 具有低栅极电荷和导通电阻, 适用于多种应用

LWT1H6AQ特性

暂无产品特性。

LWT1H6AQ应用领域

暂无应用领域。

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