LWT1H36AD3
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
LWT1H36AD3
采用SGT技术的N沟道功率MOSFET， 具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻等特性， 适用于电池开关、高频电路和电源管理
品牌
Lewa Micro
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
4,755
货期
现货
LWT1H36AD3参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4755 |
LWT1H36AD3概述
采用SGT技术的N沟道功率MOSFET， 具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻等特性， 适用于电池开关、高频电路和电源管理
LWT1H36AD3特性
暂无产品特性。
LWT1H36AD3应用领域
暂无应用领域。