LWT1H203H8
IC
TO-220AB
可供量大可议
LWT1H203H8
采用先进SGT技术的N沟道功率MOSFET， 具备低栅极电荷和导通电阻， 适用于电池开关、高频电路和电源管理
品牌
Lewa Micro
封装
TO-220AB
库存
86
货期
现货
LWT1H203H8参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 86 |
LWT1H203H8概述
采用先进SGT技术的N沟道功率MOSFET， 具备低栅极电荷和导通电阻， 适用于电池开关、高频电路和电源管理
LWT1H203H8特性
暂无产品特性。
LWT1H203H8应用领域
暂无应用领域。