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LWT1H04H8
IC

TO-220AB

可供量大可议

LWT1H04H8

采用先进SGT技术的N沟道功率MOSFET, 具有低栅极电荷和导通电阻, 适用于多种应用

品牌

Lewa Micro

封装

TO-220AB

库存

99

货期

现货

LWT1H04H8参数

封装TO-220AB
品牌Lewa Micro(乐瓦微电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存99

LWT1H04H8概述

采用先进SGT技术的N沟道功率MOSFET, 具有低栅极电荷和导通电阻, 适用于多种应用

LWT1H04H8特性

暂无产品特性。

LWT1H04H8应用领域

暂无应用领域。

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