LWT1H02HB
IC
TO-263-7L
可供量大可议
LWT1H02HB
采用先进SGT技术的N沟道功率MOSFET， 具备低栅极电荷和低导通电阻， 开关速度快， 适用于多种应用
品牌
Lewa Micro
封装
TO-263-7L
库存
665
货期
现货
LWT1H02HB参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 665 |
LWT1H02HB概述
采用先进SGT技术的N沟道功率MOSFET， 具备低栅极电荷和低导通电阻， 开关速度快， 适用于多种应用
LWT1H02HB特性
暂无产品特性。
LWT1H02HB应用领域
暂无应用领域。