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LWS1H11AM
IC

SOT-23

可供量大可议

LWS1H11AM

P沟道功率MOSFET, 采用先进SGT技术, 具备低栅极电荷和低导通电阻, 适用于多种应用

品牌

Lewa Micro

封装

SOT-23

库存

1,080

货期

现货

LWS1H11AM参数

封装SOT-23
品牌Lewa Micro(乐瓦微电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存1080

LWS1H11AM概述

P沟道功率MOSFET, 采用先进SGT技术, 具备低栅极电荷和低导通电阻, 适用于多种应用

LWS1H11AM特性

暂无产品特性。

LWS1H11AM应用领域

暂无应用领域。

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