LWN3012BD3
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
LWN3012BD3
采用沟槽技术的N沟道功率MOSFET， 具有低栅极电荷和导通电阻， 开关速度快， 适用于DC-DC转换器和便携式设备
品牌
Lewa Micro
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
5,000
货期
现货
LWN3012BD3参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5000 |
LWN3012BD3概述
采用沟槽技术的N沟道功率MOSFET， 具有低栅极电荷和导通电阻， 开关速度快， 适用于DC-DC转换器和便携式设备
LWN3012BD3特性
暂无产品特性。
LWN3012BD3应用领域
暂无应用领域。