LWN2H550AT
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
LWN2H550AT
LWN2H550AT采用沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。 其封装形式为SOT23 - 6L， 符合RoHS标准和无卤标准
品牌
Lewa Micro
封装
SOT-23-6L
库存
2,905
货期
现货
LWN2H550AT参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2905 |
LWN2H550AT概述
LWN2H550AT采用沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。 其封装形式为SOT23 - 6L， 符合RoHS标准和无卤标准
LWN2H550AT特性
暂无产品特性。
LWN2H550AT应用领域
暂无应用领域。