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LWN2007AD2
IC

DFN-6L(2x2)

可供量大可议

LWN2007AD2

N沟道功率MOSFET, 采用沟槽技术, 具备快速开关、低栅极电荷和导通电阻、低反向传输电容等特性, 适用于多种应用

品牌

Lewa Micro

封装

DFN-6L(2x2)

库存

1,840

货期

现货

LWN2007AD2参数

封装DFN-6L(2x2)
品牌Lewa Micro(乐瓦微电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1840

LWN2007AD2概述

N沟道功率MOSFET, 采用沟槽技术, 具备快速开关、低栅极电荷和导通电阻、低反向传输电容等特性, 适用于多种应用

LWN2007AD2特性

暂无产品特性。

LWN2007AD2应用领域

暂无应用领域。

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