LWN2005AD3
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
LWN2005AD3
N沟道功率MOSFET， 采用沟槽技术， 具有快速开关、低栅极电荷和低导通电阻特性， 适用于多种应用
品牌
Lewa Micro
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
4,910
货期
现货
LWN2005AD3参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4910 |
LWN2005AD3概述
N沟道功率MOSFET， 采用沟槽技术， 具有快速开关、低栅极电荷和低导通电阻特性， 适用于多种应用
LWN2005AD3特性
暂无产品特性。
LWN2005AD3应用领域
暂无应用领域。