LWN1H5160A23
IC
SOT-223
可供量大可议
LWN1H5160A23
N沟道功率MOSFET， 采用先进沟槽技术和设计， 具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻、低反向传输电容等特性， 适用于电池开关、硬开关和高频电路、电源管理等应用
品牌
Lewa Micro
封装
SOT-223
库存
930
货期
现货
LWN1H5160A23参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 930 |
LWN1H5160A23概述
N沟道功率MOSFET， 采用先进沟槽技术和设计， 具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻、低反向传输电容等特性， 适用于电池开关、硬开关和高频电路、电源管理等应用
LWN1H5160A23特性
暂无产品特性。
LWN1H5160A23应用领域
暂无应用领域。