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LWD6001AS
IC

SOP-8

可供量大可议

LWD6001AS

N+P沟道功率MOSFET, 采用沟槽技术, 具有低栅极电荷和导通电阻, 开关速度快

品牌

Lewa Micro

封装

SOP-8

库存

3,995

货期

现货

LWD6001AS参数

封装SOP-8
品牌Lewa Micro(乐瓦微电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存3995

LWD6001AS概述

N+P沟道功率MOSFET, 采用沟槽技术, 具有低栅极电荷和导通电阻, 开关速度快

LWD6001AS特性

暂无产品特性。

LWD6001AS应用领域

暂无应用领域。

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