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LWD6001A4
IC

TO-252-4L

可供量大可议

LWD6001A4

N+P通道功率MOSFET, 采用沟槽技术, 低栅极电荷和导通电阻, 快速开关

品牌

Lewa Micro

封装

TO-252-4L

库存

2,500

货期

现货

LWD6001A4参数

封装TO-252-4L
品牌Lewa Micro(乐瓦微电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2500

LWD6001A4概述

N+P通道功率MOSFET, 采用沟槽技术, 低栅极电荷和导通电阻, 快速开关

LWD6001A4特性

暂无产品特性。

LWD6001A4应用领域

暂无应用领域。

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