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LWD4005A4
IC

TO-252-4L

可供量大可议

LWD4005A4

N+P沟道功率MOSFET, 采用沟槽技术, 具备低栅极电荷和导通电阻, 适用于多种应用

品牌

Lewa Micro

封装

TO-252-4L

库存

2,488

货期

现货

LWD4005A4参数

封装TO-252-4L
品牌Lewa Micro(乐瓦微电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2488

LWD4005A4概述

N+P沟道功率MOSFET, 采用沟槽技术, 具备低栅极电荷和导通电阻, 适用于多种应用

LWD4005A4特性

暂无产品特性。

LWD4005A4应用领域

暂无应用领域。

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