LWD3002AD3
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
LWD3002AD3
采用沟槽技术的N+P沟道功率MOSFET， 具有低栅极电荷和低反向传输电容， 适用于DC-DC转换器、便携式设备和电源管理
品牌
Lewa Micro
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
4,995
货期
现货
LWD3002AD3参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4995 |
LWD3002AD3概述
采用沟槽技术的N+P沟道功率MOSFET， 具有低栅极电荷和低反向传输电容， 适用于DC-DC转换器、便携式设备和电源管理
LWD3002AD3特性
暂无产品特性。
LWD3002AD3应用领域
暂无应用领域。