LWD3001AD3
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
LWD3001AD3
采用沟槽技术的N+P沟道功率MOSFET， 具备低栅极电荷和导通电阻， 开关速度快， 适用于多种应用
品牌
Lewa Micro
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
4,650
货期
现货
LWD3001AD3参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4650 |
LWD3001AD3概述
采用沟槽技术的N+P沟道功率MOSFET， 具备低栅极电荷和导通电阻， 开关速度快， 适用于多种应用
LWD3001AD3特性
暂无产品特性。
LWD3001AD3应用领域
暂无应用领域。