LW03N150BU
IC
TO-3P
可供量大可议
LW03N150BU
LW03N150BU采用先进的VDMOS技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。 其封装形式为TO - 3P(F)， 符合ROHS标准
品牌
Lewa Micro
封装
TO-3P
库存
25
货期
现货
LW03N150BU参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | Lewa Micro(乐瓦微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
LW03N150BU概述
LW03N150BU采用先进的VDMOS技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。 其封装形式为TO - 3P(F)， 符合ROHS标准
LW03N150BU特性
暂无产品特性。
LW03N150BU应用领域
暂无应用领域。