LTVS16H24T5G-MS
IC
DFN1610-2L
可供量大可议
LTVS16H24T5G-MS
特性：每线2500W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 DFN1610-2L封装。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 符合RoHS标准。 数据线瞬态保护：IEC 61000-4-2（ESD）空气放电±30kV， 接触放电±30kV； IEC 61000-4-5（雷电）75A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
品牌
MSKSEMI
封装
DFN1610-2L
库存
850
货期
现货
LTVS16H24T5G-MS参数
| 封装 | DFN1610-2L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 850 |
LTVS16H24T5G-MS概述
特性：每线2500W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 DFN1610-2L封装。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 符合RoHS标准。 数据线瞬态保护：IEC 61000-4-2（ESD）空气放电±30kV， 接触放电±30kV； IEC 61000-4-5（雷电）75A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
LTVS16H24T5G-MS特性
暂无产品特性。
LTVS16H24T5G-MS应用领域
暂无应用领域。