LTV217TP1B-V-G-AP
IC
SMD-4P
可供量大可议
LTV217TP1B-V-G-AP
特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%（在I = 5mA， VCE = 5V时）。 高输入输出隔离电压（Viso = 3750Vrms）。 采用双传输模技术。 应用：需要高密度安装的混合基板
品牌
LITEON
封装
SMD-4P
库存
40
货期
现货
LTV217TP1B-V-G-AP参数
| 封装 | SMD-4P |
|---|---|
| 品牌 | LITEON(光宝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
LTV217TP1B-V-G-AP概述
特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%（在I = 5mA， VCE = 5V时）。 高输入输出隔离电压（Viso = 3750Vrms）。 采用双传输模技术。 应用：需要高密度安装的混合基板
LTV217TP1B-V-G-AP特性
暂无产品特性。
LTV217TP1B-V-G-AP应用领域
暂无应用领域。