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LTE-C216-P-W
IC

1206

可供量大可议

LTE-C216-P-W

提供了广泛的离散红外组件, 适用于遥控、红外无线数据传输、安全警报等应用。 客户需要具有高功率、高速和宽视角的红外解决方案。 产品线包括GaAs 940nm IREDs、AlGaAs高速850nm IREDs、PIN光电二极管和光电晶体管。 光电二极管和光电晶体管可配备滤光片, 以减少传感器功能中的数字光噪声, 从而实现高信噪比。

品牌

LITEON

封装

1206

库存

10,511

货期

现货

LTE-C216-P-W参数

封装1206
品牌LITEON(台湾光宝)
批次26+
正向压降(Vf)1.4V
波长850nm
正向电流60mA
视角100°
半波宽50nm
分类红外发射管
库存10,511
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)100mW
辐射强度2.2mW/sr
直流反向耐压(Vr)5V
工作温度-40℃~+85℃

LTE-C216-P-W概述

提供了广泛的离散红外组件, 适用于遥控、红外无线数据传输、安全警报等应用。 客户需要具有高功率、高速和宽视角的红外解决方案。 产品线包括GaAs 940nm IREDs、AlGaAs高速850nm IREDs、PIN光电二极管和光电晶体管。 光电二极管和光电晶体管可配备滤光片, 以减少传感器功能中的数字光噪声, 从而实现高信噪比。

LTE-C216-P-W特性

暂无产品特性。

LTE-C216-P-W应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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