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LTC8552XF8/R6
IC

DFN-8-EP(2x2)

可供量大可议

LTC8552XF8/R6

放大器通过使用专利的快速阶跃响应斩波稳定技术, 为超低失调和漂移提供输入失调电压校正。 该方法持续测量和补偿输入失调, 消除了随时间和温度的漂移以及 1/f 噪声的影响。 这种设计突破允许在仅消耗 125 μA 电源电流的情况下, 实现 1.5 MHz 的增益带宽积和 12 V/μs 的高转换速率。 这些器件具有单位增益稳定性, 并具有良好的电源抑制比 (PSRR) 和共模抑制比 (CMRR)

品牌

Linearin

封装

DFN-8-EP(2x2)

库存

1

货期

现货

LTC8552XF8/R6参数

封装DFN-8-EP(2x2)
品牌Linearin(先积集成)
批次25+
双电源(Vee~Vcc)1V~2.75V; -2.75V~-1V
输入失调电压温漂(Vos TC)5nV/℃
轨到轨轨到轨输入, 轨到轨输出
共模抑制比(CMRR)130dB
静态电流(Iq)125uA
输入失调电流(Ios)700pA
功能特性EMI滤波/RF抑制; ESD保护; 内置补偿; 零漂移/自动稳零; 反相位输入保护
分类精密运放
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
输入失调电压(Vos)2uV
增益带宽积(GBW)1.5MHz
压摆率(SR)1.2V/us
输入电压噪声密度(eN)19nV/√Hz@1kHz
输出电流40mA
工作温度-40℃~+125℃

LTC8552XF8/R6概述

放大器通过使用专利的快速阶跃响应斩波稳定技术, 为超低失调和漂移提供输入失调电压校正。 该方法持续测量和补偿输入失调, 消除了随时间和温度的漂移以及 1/f 噪声的影响。 这种设计突破允许在仅消耗 125 μA 电源电流的情况下, 实现 1.5 MHz 的增益带宽积和 12 V/μs 的高转换速率。 这些器件具有单位增益稳定性, 并具有良好的电源抑制比 (PSRR) 和共模抑制比 (CMRR)

LTC8552XF8/R6特性

暂无产品特性。

LTC8552XF8/R6应用领域

暂无应用领域。

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