SOIC-8
LTC8551XS8/R8
LTC855x系列放大器采用获得专利的快速阶跃响应斩波稳定技术, 可对输入失调电压进行校正, 实现极低的失调和漂移。 该方法持续测量并补偿输入失调, 消除了随时间和温度变化产生的漂移以及1/f噪声的影响。 这一设计突破实现了1.5 MHz的增益带宽积和1.2 V/μs的高压摆率, 而电源电流仅为125 μA。 这些器件具有单位增益稳定性, 并且具备良好的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。 LTC855x系列非常适合需要对低电平信号进行精密放大的应用, 这类应用不能容忍误差源, 即使在需要高带宽和快速转换的情况下也是如此。 轨到轨输入和输出摆幅使高端和低端检测变得轻松。 LTC855x系列可在低至1.8 V的单电源电压下工作, 适用于双节电池应用。 LTC855x运算放大器增强了电磁干扰(EMI)保护功能, 可最大程度减少来自外部源的任何电磁干扰, 并具备高静电放电(ESD)保护(5 kV HBM)。 所有型号均在 -40 °C至 +125 °C的扩展工业温度范围内进行了规格定义。
品牌
Linearin
封装
SOIC-8
库存
1,880
货期
现货
LTC8551XS8/R8参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | Linearin(先积集成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 精密运放 |
|---|---|
| 库存 | 1880 |
LTC8551XS8/R8概述
LTC855x系列放大器采用获得专利的快速阶跃响应斩波稳定技术, 可对输入失调电压进行校正, 实现极低的失调和漂移。 该方法持续测量并补偿输入失调, 消除了随时间和温度变化产生的漂移以及1/f噪声的影响。 这一设计突破实现了1.5 MHz的增益带宽积和1.2 V/μs的高压摆率, 而电源电流仅为125 μA。 这些器件具有单位增益稳定性, 并且具备良好的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。 LTC855x系列非常适合需要对低电平信号进行精密放大的应用, 这类应用不能容忍误差源, 即使在需要高带宽和快速转换的情况下也是如此。 轨到轨输入和输出摆幅使高端和低端检测变得轻松。 LTC855x系列可在低至1.8 V的单电源电压下工作, 适用于双节电池应用。 LTC855x运算放大器增强了电磁干扰(EMI)保护功能, 可最大程度减少来自外部源的任何电磁干扰, 并具备高静电放电(ESD)保护(5 kV HBM)。 所有型号均在 -40 °C至 +125 °C的扩展工业温度范围内进行了规格定义。
LTC8551XS8/R8特性
暂无产品特性。
LTC8551XS8/R8应用领域
暂无应用领域。
