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LTC8551XS8/R8
IC

SOIC-8

可供量大可议

LTC8551XS8/R8

LTC855x系列放大器采用获得专利的快速阶跃响应斩波稳定技术, 可对输入失调电压进行校正, 实现极低的失调和漂移。 该方法持续测量并补偿输入失调, 消除了随时间和温度变化产生的漂移以及1/f噪声的影响。 这一设计突破实现了1.5 MHz的增益带宽积和1.2 V/μs的高压摆率, 而电源电流仅为125 μA。 这些器件具有单位增益稳定性, 并且具备良好的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。 LTC855x系列非常适合需要对低电平信号进行精密放大的应用, 这类应用不能容忍误差源, 即使在需要高带宽和快速转换的情况下也是如此。 轨到轨输入和输出摆幅使高端和低端检测变得轻松。 LTC855x系列可在低至1.8 V的单电源电压下工作, 适用于双节电池应用。 LTC855x运算放大器增强了电磁干扰(EMI)保护功能, 可最大程度减少来自外部源的任何电磁干扰, 并具备高静电放电(ESD)保护(5 kV HBM)。 所有型号均在 -40 °C至 +125 °C的扩展工业温度范围内进行了规格定义。

品牌

Linearin

封装

SOIC-8

库存

1,880

货期

现货

LTC8551XS8/R8参数

封装SOIC-8
品牌Linearin(先积集成)
MOQ / SPQ1 / 5
分类精密运放
库存1880

LTC8551XS8/R8概述

LTC855x系列放大器采用获得专利的快速阶跃响应斩波稳定技术, 可对输入失调电压进行校正, 实现极低的失调和漂移。 该方法持续测量并补偿输入失调, 消除了随时间和温度变化产生的漂移以及1/f噪声的影响。 这一设计突破实现了1.5 MHz的增益带宽积和1.2 V/μs的高压摆率, 而电源电流仅为125 μA。 这些器件具有单位增益稳定性, 并且具备良好的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。 LTC855x系列非常适合需要对低电平信号进行精密放大的应用, 这类应用不能容忍误差源, 即使在需要高带宽和快速转换的情况下也是如此。 轨到轨输入和输出摆幅使高端和低端检测变得轻松。 LTC855x系列可在低至1.8 V的单电源电压下工作, 适用于双节电池应用。 LTC855x运算放大器增强了电磁干扰(EMI)保护功能, 可最大程度减少来自外部源的任何电磁干扰, 并具备高静电放电(ESD)保护(5 kV HBM)。 所有型号均在 -40 °C至 +125 °C的扩展工业温度范围内进行了规格定义。

LTC8551XS8/R8特性

暂无产品特性。

LTC8551XS8/R8应用领域

暂无应用领域。

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LTC8551XS8/R8 Linearin | IC-CHIP B2B