DFN-8-EP(2x2)
LTC4362IDCB-2#TRMPBF
LTC4362单片过压/过流保护器保护2.5V至5.5V系统免受电源过压的影响。 它专为具有多种电源选项的便携式设备设计, 包括墙适配器、汽车电池适配器和USB端口。 LTC4362控制与输入电源串联的内部40mΩ N沟道MOSFET。 在过压瞬态期间, LTC4362在1µs内关闭MOSFET, 将下游组件与输入电源隔离。 在大多数应用中, LTC4362能够通过电感电缆瞬态而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 内部电流检测电阻用于实现过流保护。 LTC4362在插电时具有延迟启动, 并且具有受控的dV/dt斜坡上升以限制浪涌电流。 PWRGD引脚提供VIN的电源监控。 LTC4362具有由ON引脚控制的软关断功能, 并可驱动一个可选的外部P沟道MOSFET以实现负电压保护。 在过压条件之后, LTC4362会自动重启并有130ms的延迟。 在过流故障后, LTC4362-1保持关闭状态, 而LTC4362-2会在130ms延迟后自动重启。
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DFN-8-EP(2x2)
Stock
1
货期
现货
LTC4362IDCB-2#TRMPBFParameters
| 封装 | DFN-8-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 浪涌保护器 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
LTC4362IDCB-2#TRMPBF概述
LTC4362单片过压/过流保护器保护2.5V至5.5V系统免受电源过压的影响。 它专为具有多种电源选项的便携式设备设计, 包括墙适配器、汽车电池适配器和USB端口。 LTC4362控制与输入电源串联的内部40mΩ N沟道MOSFET。 在过压瞬态期间, LTC4362在1µs内关闭MOSFET, 将下游组件与输入电源隔离。 在大多数应用中, LTC4362能够通过电感电缆瞬态而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 内部电流检测电阻用于实现过流保护。 LTC4362在插电时具有延迟启动, 并且具有受控的dV/dt斜坡上升以限制浪涌电流。 PWRGD引脚提供VIN的电源监控。 LTC4362具有由ON引脚控制的软关断功能, 并可驱动一个可选的外部P沟道MOSFET以实现负电压保护。 在过压条件之后, LTC4362会自动重启并有130ms的延迟。 在过流故障后, LTC4362-1保持关闭状态, 而LTC4362-2会在130ms延迟后自动重启。
LTC4362IDCB-2#TRMPBF特性
暂无产品特性。
LTC4362IDCB-2#TRMPBF应用领域
暂无应用领域。
