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LTC4359IDCB#TRMPBF
IC

DFN-6-EP(2x3)

可供量大可议

LTC4359IDCB#TRMPBF

是一款正向高压理想二极管控制器, 可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。 它控制 MOSFET 两端的正向压降, 以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。 如果电源发生故障或短路, 快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。 提供关断模式, 可将负载开关的静态电流降至 9μA, 理想二极管应用的静态电流降至 14μA。 在大电流二极管应用中使用时, 可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。 凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值, 可满足汽车和电信应用的苛刻要求。 还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

品牌

ADI

封装

DFN-6-EP(2x3)

库存

24

货期

现货

LTC4359IDCB#TRMPBF参数

封装DFN-6-EP(2x3)
品牌ADI(亚德诺)
MOQ / SPQ1 / 1
分类理想二极管/ORing控制器
库存24

LTC4359IDCB#TRMPBF概述

是一款正向高压理想二极管控制器, 可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。 它控制 MOSFET 两端的正向压降, 以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。 如果电源发生故障或短路, 快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。 提供关断模式, 可将负载开关的静态电流降至 9μA, 理想二极管应用的静态电流降至 14μA。 在大电流二极管应用中使用时, 可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。 凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值, 可满足汽车和电信应用的苛刻要求。 还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

LTC4359IDCB#TRMPBF特性

暂无产品特性。

LTC4359IDCB#TRMPBF应用领域

暂无应用领域。

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