LTC4359IDCB#TRMPBF
IC
DFN-6-EP(2x3)
可供量大可议
LTC4359IDCB#TRMPBF
是一款正向高压理想二极管控制器, 可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。 它控制 MOSFET 两端的正向压降, 以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。 如果电源发生故障或短路, 快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。 提供关断模式, 可将负载开关的静态电流降至 9μA, 理想二极管应用的静态电流降至 14μA。 在大电流二极管应用中使用时, 可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。 凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值, 可满足汽车和电信应用的苛刻要求。 还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。
品牌
ADI
封装
DFN-6-EP(2x3)
库存
24
货期
现货
LTC4359IDCB#TRMPBF参数
| 封装 | DFN-6-EP(2x3) |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 理想二极管/ORing控制器 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
LTC4359IDCB#TRMPBF概述
是一款正向高压理想二极管控制器, 可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。 它控制 MOSFET 两端的正向压降, 以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。 如果电源发生故障或短路, 快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。 提供关断模式, 可将负载开关的静态电流降至 9μA, 理想二极管应用的静态电流降至 14μA。 在大电流二极管应用中使用时, 可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。 凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值, 可满足汽车和电信应用的苛刻要求。 还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。
LTC4359IDCB#TRMPBF特性
暂无产品特性。
LTC4359IDCB#TRMPBF应用领域
暂无应用领域。
