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LTC4359CDCB#TRPBF
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IC

DFN-6-EP(2x3)

LTC4359CDCB#TRPBF

是一款正向高压理想二极管控制器, 可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。 它控制 MOSFET 两端的正向压降, 确保即使在轻负载下也能平稳输送电流而无振荡。 如果电源发生故障或短路, 快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。 提供关断模式, 可将负载开关的静态电流降至 9μA, 理想二极管应用的静态电流降至 14μA。 在大电流二极管应用中使用时, 可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。 凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值, 可满足汽车和电信应用的苛刻要求。 还能轻松在具有冗余电源的系统中实现电源并联。

品牌

ADI

封装

DFN-6-EP(2x3)

交期

现货

批次

—

LTC4359CDCB#TRPBF参数

封装DFN-6-EP(2x3)
品牌ADI(亚德诺)
MOQ / SPQ1 / 1
反向耐压40V
通道数1
正向压降(Vf)30mV
工作温度0℃~+70℃
功能特性带使能; 反向极性保护; 反向电流阻断
商品型号LTC4359CDCB#TRPBF
单位个
商品重量0.00023
分类理想二极管/ORing控制器
库存9
输入电压(Vin)4V~80V
FET类型外置FET
栅极驱动电压12V
静态电流(Iq)9uA
灌电流(IOL)130mA
商品名称理想二极管控制器, 具备反向输入保护功能
包装方式编带
商品类型理想二极管/ORing控制器

LTC4359CDCB#TRPBF概述

LTC4359是一款正高压理想二极管控制器, 可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。 它控制MOSFET两端的正向压降, 确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流且无振荡。 若电源发生故障或短路, 快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低。 该器件具备关断模式, 在用作负载开关时可将静态电流降至9μA, 在理想二极管应用中可降至14µA。 在大电流二极管应用中, LTC4359可降低功耗、散热、电压损耗和PCB面积。 凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力以及高温度额定值, LTC4359满足了汽车和电信应用的严苛要求。 LTC4359还能轻松实现冗余电源系统中电源的“或”操作。

LTC4359CDCB#TRPBF特性

  • 用功率肖特基二极管替代方案降低功耗
  • 宽工作电压范围:4V至80V
  • 反向输入保护至 -40V
  • 低关断电流9µA
  • 低工作电流150µA
  • 无振荡的平滑切换
  • 控制单个或背对背N沟道MOSFET
  • 提供6引脚(2mm×3mm)DFN、8引脚MSOP和8引脚SO封装
  • 通过AEC-Q100汽车应用认证

LTC4359CDCB#TRPBF应用领域

  • 汽车电池保护
  • 冗余电源
  • 电源保持
  • 电信基础设施
  • 计算机系统/服务器
  • 太阳能系统

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