LTC4357HDCB#TRMPBF
IC
DFN-6-EP(2x3)
可供量大可议
LTC4357HDCB#TRMPBF
是一款正高压理想二极管控制器， 驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。 在二极管或和大电流二极管应用中， 可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。 能轻松实现电源“或”操作， 以提高整个系统的可靠性。 在二极管或应用中， 控制MOSFET两端的正向压降， 确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。 如果电源发生故障或短路， 快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
品牌
ADI
封装
DFN-6-EP(2x3)
库存
12
货期
现货
LTC4357HDCB#TRMPBF参数
| 封装 | DFN-6-EP(2x3) |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 商品型号 | LTC4357HDCB#TRMPBF |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 5.8286e-05 |
| 分类 | 理想二极管/ORing控制器 |
|---|---|
| 库存 | 12 |
| 商品名称 | 正高电压理想二极管控制器 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 理想二极管/ORing控制器 |
LTC4357HDCB#TRMPBF概述
LTC4357是一款正高压理想二极管控制器， 可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。 在或二极管和大电流二极管应用中， LTC4357可降低功耗、散热、电压损耗和PCB面积。 LTC4357可轻松实现电源“或”功能， 提高整个系统的可靠性。 在或二极管应用中， LTC4357控制MOSFET两端的正向压降， 确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径， 且不会产生振荡。 如果电源发生故障或短路， 快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低。
LTC4357HDCB#TRMPBF特性
- 用N沟道MOSFET替代功率肖特基二极管， 降低功耗
- 0.5µs关断时间， 限制峰值故障电流
- 宽工作电压范围：9V至80V
- 无振荡平稳切换
- 无反向直流电流
- 提供6引脚（2mm×3mm）DFN和8引脚MSOP封装
LTC4357HDCB#TRMPBF应用领域
- V+τ冗余电源
- 高可用性系统
- 高级电信计算架构（AdvancedTCA）系统
- 电信基础设施
- 汽车系统