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LTC4229IUFD#PBF
IC

QFN-24(4x5)

可供量大可议

LTC4229IUFD#PBF

提供理想二极管和热插拔功能, 通过控制两个外部N沟道MOSFET实现。 MOSFET作为理想二极管取代高功率肖特基二极管及其相关散热器, 节省功率和电路板面积。 热插拔MOSFET控制允许通过限制浪涌电流将电路板安全地插入和移除带电背板。 电源输出还通过快速作用的折返电流限制和电子断路器来防止短路故障。 调节外部MOSFET上的正向电压降, 以确保在二极管或应用中实现平稳的电流传输。 理想二极管快速导通, 以减少电源切换期间的负载电压降。 如果输入电源发生故障或短路, 快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。 提供可调启动延迟、欠压和过压保护, 并报告电源的故障和电源良好状态。 可以配置为故障后锁存关闭或自动重试。

品牌

ADI

封装

QFN-24(4x5)

库存

10

货期

现货

LTC4229IUFD#PBF参数

封装QFN-24(4x5)
品牌ADI(亚德诺)
MOQ / SPQ1 / 1
分类理想二极管/ORing控制器
库存10

LTC4229IUFD#PBF概述

提供理想二极管和热插拔功能, 通过控制两个外部N沟道MOSFET实现。 MOSFET作为理想二极管取代高功率肖特基二极管及其相关散热器, 节省功率和电路板面积。 热插拔MOSFET控制允许通过限制浪涌电流将电路板安全地插入和移除带电背板。 电源输出还通过快速作用的折返电流限制和电子断路器来防止短路故障。 调节外部MOSFET上的正向电压降, 以确保在二极管或应用中实现平稳的电流传输。 理想二极管快速导通, 以减少电源切换期间的负载电压降。 如果输入电源发生故障或短路, 快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。 提供可调启动延迟、欠压和过压保护, 并报告电源的故障和电源良好状态。 可以配置为故障后锁存关闭或自动重试。

LTC4229IUFD#PBF特性

暂无产品特性。

LTC4229IUFD#PBF应用领域

暂无应用领域。

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