LT1634AIS8-1.25#PBF
IC
SO-8
可供量大可议
LT1634AIS8-1.25#PBF
是一种微功耗、精密的并联电压基准。 带隙基准采用微调的精密薄膜电阻, 实现0.05%的初始电压精度。 改进的曲率校正技术保证最大10ppm/°C的温度漂移。 设计、处理和封装技术的进步保证10μA的工作电流和低温循环滞后。 不需要输出补偿电容, 但在容性负载下稳定。 低动态阻抗使基准易于在非稳压电源下使用。 可以作为LM185/LM385、LT1004和LT1034的高性能升级版, 适用于需要更低功耗和有保证的温度漂移的场景。
品牌
ADI
封装
SO-8
库存
8
货期
现货
LT1634AIS8-1.25#PBF参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 8 |
LT1634AIS8-1.25#PBF概述
是一种微功耗、精密的并联电压基准。 带隙基准采用微调的精密薄膜电阻, 实现0.05%的初始电压精度。 改进的曲率校正技术保证最大10ppm/°C的温度漂移。 设计、处理和封装技术的进步保证10μA的工作电流和低温循环滞后。 不需要输出补偿电容, 但在容性负载下稳定。 低动态阻抗使基准易于在非稳压电源下使用。 可以作为LM185/LM385、LT1004和LT1034的高性能升级版, 适用于需要更低功耗和有保证的温度漂移的场景。
LT1634AIS8-1.25#PBF特性
暂无产品特性。
LT1634AIS8-1.25#PBF应用领域
暂无应用领域。
