LT1389BCS8-2.5#PBF
IC
SO-8
可供量大可议
LT1389BCS8-2.5#PBF
是一款纳功率、精密并联电压基准。 带隙基准采用微调精密薄膜电阻和改进的曲率校正技术, 实现0.05%的初始电压精度, 最大温度漂移保证在10ppm/℃。 在超低800nA工作电流下保持电压调节。 在设计、工艺和封装方面的进步实现了低温循环滞后。 不需要输出补偿电容, 但在容性负载下稳定。 低动态阻抗使该基准易于在非稳压电源下使用。 可以作为LM185/LM385、LT1004、LT1034和LT1634的高性能升级版, 用于需要最低功耗和保证温度漂移的地方。
品牌
ADI
封装
SO-8
库存
5
货期
现货
LT1389BCS8-2.5#PBF参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
LT1389BCS8-2.5#PBF概述
是一款纳功率、精密并联电压基准。 带隙基准采用微调精密薄膜电阻和改进的曲率校正技术, 实现0.05%的初始电压精度, 最大温度漂移保证在10ppm/℃。 在超低800nA工作电流下保持电压调节。 在设计、工艺和封装方面的进步实现了低温循环滞后。 不需要输出补偿电容, 但在容性负载下稳定。 低动态阻抗使该基准易于在非稳压电源下使用。 可以作为LM185/LM385、LT1004、LT1034和LT1634的高性能升级版, 用于需要最低功耗和保证温度漂移的地方。
LT1389BCS8-2.5#PBF特性
暂无产品特性。
LT1389BCS8-2.5#PBF应用领域
暂无应用领域。
