LT1013DDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
LT1013DDR
精密运放 0.4V/us 双路 18nA 1MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
5,990
货期
现货
LT1013DDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 放大器数 | 双路 |
| 双电源(Vee~Vcc) | -15V~15V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 700nV/℃ |
| 压摆率(SR) | 0.4V/us |
| 输入偏置电流(Ib) | 15nA |
| 输入失调电流(Ios) | 200pA |
| 功能特性 | 反相位输入保护 |
| 分类 | 精密运放 |
|---|---|
| 库存 | 5,990 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 单电源电压 | 5V |
| 输入失调电压(Vos) | 200uV |
| 增益带宽积(GBW) | 1MHz |
| 共模抑制比(CMRR) | 97dB |
| 静态电流(Iq) | 350uA |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
LT1013DDR概述
精密运放 0.4V/us 双路 18nA 1MHz
LT1013DDR特性
暂无产品特性。
LT1013DDR应用领域
暂无应用领域。