Stock与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件Procurement平台
热门搜索Part Number:
LSIC2SD120D15-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

LSIC2SD120D15-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备15A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)典型值为1.5V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 可有效减少能量损耗并改善热管理表现。 适用于高密度电源转换设计, 如高效开关电源、光伏逆变装置及高功率密度适配器等场景, 能够在较宽温度范围内可靠运行, 满足对小型化和高效率有要求的应用需求。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-263

Stock

30

货期

现货

LSIC2SD120D15-HXYParameters

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存30

LSIC2SD120D15-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备15A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)典型值为1.5V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 可有效减少能量损耗并改善热管理表现。 适用于高密度电源转换设计, 如高效开关电源、光伏逆变装置及高功率密度适配器等场景, 能够在较宽温度范围内可靠运行, 满足对小型化和高效率有要求的应用需求。

LSIC2SD120D15-HXY特性

暂无产品特性。

LSIC2SD120D15-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件