LSIC2SD120D15-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
LSIC2SD120D15-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备15A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)典型值为1.5V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 可有效减少能量损耗并改善热管理表现。 适用于高密度电源转换设计, 如高效开关电源、光伏逆变装置及高功率密度适配器等场景, 能够在较宽温度范围内可靠运行, 满足对小型化和高效率有要求的应用需求。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-263
Stock
30
货期
现货
LSIC2SD120D15-HXYParameters
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
LSIC2SD120D15-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备15A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)典型值为1.5V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 可有效减少能量损耗并改善热管理表现。 适用于高密度电源转换设计, 如高效开关电源、光伏逆变装置及高功率密度适配器等场景, 能够在较宽温度范围内可靠运行, 满足对小型化和高效率有要求的应用需求。
LSIC2SD120D15-HXY特性
暂无产品特性。
LSIC2SD120D15-HXY应用领域
暂无应用领域。
