LSIC2SD065D08A-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
LSIC2SD065D08A-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 具有8A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)低至1.42V。 基于碳化硅材料的优异特性, 器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗, 适用于高频、高效率的电力转换电路。 其良好的热导性能和耐高温特性, 有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性, 常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
24
货期
现货
LSIC2SD065D08A-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
LSIC2SD065D08A-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 具有8A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)低至1.42V。 基于碳化硅材料的优异特性, 器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗, 适用于高频、高效率的电力转换电路。 其良好的热导性能和耐高温特性, 有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性, 常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。
LSIC2SD065D08A-HXY特性
暂无产品特性。
LSIC2SD065D08A-HXY应用领域
暂无应用领域。
