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LSIC2SD065D08A-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

LSIC2SD065D08A-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 具有8A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)低至1.42V。 基于碳化硅材料的优异特性, 器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗, 适用于高频、高效率的电力转换电路。 其良好的热导性能和耐高温特性, 有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性, 常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

24

货期

现货

LSIC2SD065D08A-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

LSIC2SD065D08A-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 具有8A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)低至1.42V。 基于碳化硅材料的优异特性, 器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗, 适用于高频、高效率的电力转换电路。 其良好的热导性能和耐高温特性, 有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性, 常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。

LSIC2SD065D08A-HXY特性

暂无产品特性。

LSIC2SD065D08A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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