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LSIC2SD065A10A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

LSIC2SD065A10A-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 额定正向电流(IF)为10A, 反向耐压(VR)达650V, 适用于中高功率密度的电力转换设计。 其正向导通压降(VF)典型值为1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料特性, 具备优异的高温稳定性与快速开关响应能力, 可减少反向恢复损耗, 适用于高频开关电源、高效直流-直流变换器、高密度电源模块及可再生能源逆变装置等应用, 满足对效率、热性能和功率密度有较高要求的电路设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

6

货期

现货

LSIC2SD065A10A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存6

LSIC2SD065A10A-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 额定正向电流(IF)为10A, 反向耐压(VR)达650V, 适用于中高功率密度的电力转换设计。 其正向导通压降(VF)典型值为1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料特性, 具备优异的高温稳定性与快速开关响应能力, 可减少反向恢复损耗, 适用于高频开关电源、高效直流-直流变换器、高密度电源模块及可再生能源逆变装置等应用, 满足对效率、热性能和功率密度有较高要求的电路设计需求。

LSIC2SD065A10A-HXY特性

暂无产品特性。

LSIC2SD065A10A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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