LSIC2SD065A10A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
LSIC2SD065A10A-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 额定正向电流(IF)为10A, 反向耐压(VR)达650V, 适用于中高功率密度的电力转换设计。 其正向导通压降(VF)典型值为1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料特性, 具备优异的高温稳定性与快速开关响应能力, 可减少反向恢复损耗, 适用于高频开关电源、高效直流-直流变换器、高密度电源模块及可再生能源逆变装置等应用, 满足对效率、热性能和功率密度有较高要求的电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
6
货期
现货
LSIC2SD065A10A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 6 |
LSIC2SD065A10A-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 额定正向电流(IF)为10A, 反向耐压(VR)达650V, 适用于中高功率密度的电力转换设计。 其正向导通压降(VF)典型值为1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料特性, 具备优异的高温稳定性与快速开关响应能力, 可减少反向恢复损耗, 适用于高频开关电源、高效直流-直流变换器、高密度电源模块及可再生能源逆变装置等应用, 满足对效率、热性能和功率密度有较高要求的电路设计需求。
LSIC2SD065A10A-HXY特性
暂无产品特性。
LSIC2SD065A10A-HXY应用领域
暂无应用领域。
