LSIC2SD065A08A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
LSIC2SD065A08A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 有效降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料的优异特性, 具有快速开关速度和良好的高温工作能力, 适用于高频率、高效率的电源转换场景。 封装设计便于散热与集成, 适合在紧凑型电源模块、开关模式电源及高密度功率变换系统中使用, 有助于减小被动元件体积, 提高功率密度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
LSIC2SD065A08A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
LSIC2SD065A08A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 有效降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料的优异特性, 具有快速开关速度和良好的高温工作能力, 适用于高频率、高效率的电源转换场景。 封装设计便于散热与集成, 适合在紧凑型电源模块、开关模式电源及高密度功率变换系统中使用, 有助于减小被动元件体积, 提高功率密度。
LSIC2SD065A08A-HXY特性
暂无产品特性。
LSIC2SD065A08A-HXY应用领域
暂无应用领域。
