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LSIC2SD065A08A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

LSIC2SD065A08A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 有效降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料的优异特性, 具有快速开关速度和良好的高温工作能力, 适用于高频率、高效率的电源转换场景。 封装设计便于散热与集成, 适合在紧凑型电源模块、开关模式电源及高密度功率变换系统中使用, 有助于减小被动元件体积, 提高功率密度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

LSIC2SD065A08A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

LSIC2SD065A08A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 有效降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料的优异特性, 具有快速开关速度和良好的高温工作能力, 适用于高频率、高效率的电源转换场景。 封装设计便于散热与集成, 适合在紧凑型电源模块、开关模式电源及高密度功率变换系统中使用, 有助于减小被动元件体积, 提高功率密度。

LSIC2SD065A08A-HXY特性

暂无产品特性。

LSIC2SD065A08A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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