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LSI1012XT1G
自营可供
IC

SC-89

LSI1012XT1G

场效应管(MOSFET) 250mW 20V 500mA 1个N沟道

品牌

LRC

封装

SC-89

交期

现货

批次

两年内

LSI1012XT1G参数

封装SC-89
品牌LRC(乐山无线电)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))700mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))900mV
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存5
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)250mW
栅极电荷量(Qg)750pC@4.5V
类型N沟道

LSI1012XT1G概述

场效应管(MOSFET) 250mW 20V 500mA 1个N沟道

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