LSI1012N3T5G
IC
SOT-883-3
可供量大可议
LSI1012N3T5G
场效应管(MOSFET) 900mV@250uA 20V 500mA 1个N沟道
品牌
LRC
封装
SOT-883-3
库存
36,311
货期
现货
LSI1012N3T5G参数
| 封装 | SOT-883-3 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 输入电容(Ciss) | 43.5pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 5.8pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36,311 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF |
| 类型 | N沟道 |
LSI1012N3T5G概述
场效应管(MOSFET) 900mV@250uA 20V 500mA 1个N沟道
LSI1012N3T5G特性
暂无产品特性。
LSI1012N3T5G应用领域
暂无应用领域。