LSGE06R046HWB

N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术。 这种先进技术专门用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。