LSGC03R020
IC
TO-220F-3
可供量大可议
LSGC03R020
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽 DMOS 技术。 这项先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用
品牌
LONTEN
封装
TO-220F-3
库存
1
货期
现货
LSGC03R020参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | LONTEN(龙腾半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
LSGC03R020概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽 DMOS 技术。 这项先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用
LSGC03R020特性
暂无产品特性。
LSGC03R020应用领域
暂无应用领域。