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LSG80R680GM
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TO-252

LSG80R680GM

LSG80R680GM

品牌

LONTEN

封装

TO-252

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批次

—

LSG80R680GM参数

封装TO-252
品牌LONTEN(龙腾半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)800V
耗散功率(Pd)115W
栅极电荷量(Qg)21.4nC
反向传输电容(Crss)0.8pF
输出电容(Coss)28.65pF
商品名称LSG80R680GM
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存40
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))580mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3.57V
输入电容(Ciss)870.43pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±30V
商品型号LSG80R680GM
单位个
商品重量0.0004475

LSG80R680GM概述

LSG80R680GM

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