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LSG70R600GM
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TO-252

LSG70R600GM

LSG70R600GM

品牌

LONTEN

封装

TO-252

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—

LSG70R600GM参数

封装TO-252
品牌LONTEN(龙腾半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)700V
耗散功率(Pd)89W
栅极电荷量(Qg)15.4nC
反向传输电容(Crss)0.49pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±30V
商品型号LSG70R600GM
单位个
商品重量0.000428
分类场效应管(MOSFET)
库存30
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))520mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3.5V
输入电容(Ciss)616pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)24pF
商品名称LSG70R600GM
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

LSG70R600GM概述

LSG70R600GM

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