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LSD80R360GM
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TO-220F

LSD80R360GM

LSD80R360GM

品牌

LONTEN

封装

TO-220F

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—

LSD80R360GM参数

封装TO-220F
品牌LONTEN(龙腾半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)1.9255nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)53.7pF
商品名称LSD80R360GM
包装方式管装
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存100
漏源电压(Vdss)800V
耗散功率(Pd)34W
栅极电荷量(Qg)39.9nC
反向传输电容(Crss)0.76pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±30V
商品型号LSD80R360GM
单位个
商品重量0.001605

LSD80R360GM概述

LSD80R360GM

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