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LPM9021QVF
IC

DFN2x2-6L

可供量大可议

LPM9021QVF

LPM9021是P沟道增强型MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)。 它采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

品牌

LOWPOWER

封装

DFN2x2-6L

库存

5

货期

现货

LPM9021QVF参数

封装DFN2x2-6L
品牌LOWPOWER(微源半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

LPM9021QVF概述

LPM9021是P沟道增强型MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)。 它采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

LPM9021QVF特性

暂无产品特性。

LPM9021QVF应用领域

暂无应用领域。

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