LPM3406B3F
IC
SOT-23
可供量大可议
LPM3406B3F
LPM3406 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
品牌
LOWPOWER
封装
SOT-23
库存
207
货期
现货
LPM3406B3F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LOWPOWER(微源半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 207 |
LPM3406B3F概述
LPM3406 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
LPM3406B3F特性
暂无产品特性。
LPM3406B3F应用领域
暂无应用领域。