LPM3401B3F
IC
SOT-23
可供量大可议
LPM3401B3F
LPM3401是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
品牌
LOWPOWER
封装
SOT-23
库存
780
货期
现货
LPM3401B3F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LOWPOWER(微源半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 780 |
LPM3401B3F概述
LPM3401是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
LPM3401B3F特性
暂无产品特性。
LPM3401B3F应用领域
暂无应用领域。