LP4101LT1G-VB
IC
SOT-23(TO-236)
可供量大可议
LP4101LT1G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于多种电源和功率控制应用， 包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。 SOT23； P—Channel沟道, -20V； -4A； RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V, VGS=±12V； Vth=-0.5~-1.5V
Brand
VBsemi
Package
SOT-23(TO-236)
Stock
2,310
货期
现货
LP4101LT1G-VBParameters
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2310 |
LP4101LT1G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于多种电源和功率控制应用， 包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。 SOT23； P—Channel沟道, -20V； -4A； RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V, VGS=±12V； Vth=-0.5~-1.5V
LP4101LT1G-VB特性
暂无产品特性。
LP4101LT1G-VB应用领域
暂无应用领域。