LP4101LT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
LP4101LT1G
特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 改进直通品质因数。 简单的驱动要求。 小封装外形。 表面贴装器件。 符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力
品牌
LRC
封装
SOT-23
库存
3,000
货期
现货
LP4101LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
LP4101LT1G概述
特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 改进直通品质因数。 简单的驱动要求。 小封装外形。 表面贴装器件。 符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力
LP4101LT1G特性
暂无产品特性。
LP4101LT1G应用领域
暂无应用领域。