LP3218DT1G
自营可供
IC
DFN 2020-6S
LP3218DT1G
场效应管(MOSFET) 1.7W 12V 8.2A 1个P沟道
品牌
LRC
封装
DFN 2020-6S
交期
现货
批次
26+
LP3218DT1G参数
| 封装 | DFN 2020-6S |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF |
| 类型 | P沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95,171 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 2.24nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
LP3218DT1G概述
场效应管(MOSFET) 1.7W 12V 8.2A 1个P沟道