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LP2309LT1G
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IC

SOT-23(TO-236)

LP2309LT1G

场效应管(MOSFET) 1.4W 60V 1.9A 1个P沟道

品牌

LRC

封装

SOT-23(TO-236)

交期

现货

批次

26+

LP2309LT1G参数

封装SOT-23(TO-236)
品牌LRC(乐山无线电)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))260mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)358pF
类型P沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存45,015
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)1.4W
栅极电荷量(Qg)6.3nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃

LP2309LT1G概述

场效应管(MOSFET) 1.4W 60V 1.9A 1个P沟道

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