LP2309LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
LP2309LT1G-HXY
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装， 设计耐压高达60V， 额定电流为2A。 具备低导通电阻与快速开关性能， 适用于充电器、电源管理等领域， 实现电子设备中高效且稳定的功率控制功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
50
货期
现货
LP2309LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
LP2309LT1G-HXY概述
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装， 设计耐压高达60V， 额定电流为2A。 具备低导通电阻与快速开关性能， 适用于充电器、电源管理等领域， 实现电子设备中高效且稳定的功率控制功能。
LP2309LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
LP2309LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。