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LP2305DSLT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

LP2305DSLT1G

场效应管(MOSFET) 1.1W 12V 4A 1个P沟道

品牌

LRC

封装

SOT-23

库存

20,470

货期

现货

LP2305DSLT1G参数

封装SOT-23
品牌LRC(乐山无线电)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))68mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))800mV
反向传输电容(Crss)210pF
类型P沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存20,470
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)12V
耗散功率(Pd)1.1W
输入电容(Ciss)1.245nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)375pF

LP2305DSLT1G概述

场效应管(MOSFET) 1.1W 12V 4A 1个P沟道

LP2305DSLT1G特性

暂无产品特性。

LP2305DSLT1G应用领域

暂无应用领域。

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